BYG20J-7001HE3_A/I
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG20J-7001HE3_A/I
| Artikelnummer: | BYG20J-7001HE3_A/I |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG20J-7001HE3_A/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BYG20J-7001HE3_A/I.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4 V @ 1.5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Avalanche Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75 ns Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 1.5A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer BYG20 -
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